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在我们进行内存的选购之前，我们要对影响内存性能的一些基本知识进行一个了解，下面这十点请大家务必了解。 1、对内存的优化要从系统整体出发，不要局限于内存模组或内存芯片本身的参数，而忽略了内存子系统的其他要素 2、目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双 p-bank 的内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单 p-bank 还是双 p-bank 呢？就目前市场上的产品而言 ，256mb 的模组基本都是单 p-bank 的，双面但每面只有 4 颗芯片的也基本上是单 p-bank 的，512mb 的双面模组则基本都是双 p-bank的 3、页面数量的计算公式为： p-bank 数量 x4，如果是 pentium4 或 amd 64 的双通道平台，则还要除以 2。比如两条单面 256mb 内存，就是 2x4=8 个页面，用在 875 上组成双通道就成了 4 个页面 4、cl、trcd、trp 为绝对性能参数，在任何平台下任何时候，都应该是越小越好，调节的优化顺序是 cl → trcd → trp 5、当内存页面数为 4 时 ，tras 设置短一些可能会更好，但最好不要小于 5。另外，短 tras 的内存性能相对于长 tras 可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感 6、当内存页面数大于或等于 8 时，tras 设置长一些会更好 7、对于 875 和 865 平台，双通道时页面数达到 8 或者以上时，内存性能更好 8、对于非双通道 pentium4 与 amd 64 平台，tras 长短之间的性能差异要缩小 9、pentium4 或 amd 64 的双通道平台下 ，bl=4 大多数情况下是更好的选择，其他情况下 bl=8 可能是更好的选择，请根据自己的实际应用有针对的调整 10、适当加大内存刷新率可以提高内存的工作效率，但也可能降低内存的稳定性 提示：bios中内存相关参数的设置要领 automatic configuration“自动设置”（可能的选项：on/ off或enable/disable） 可能出现的其他描述为：dram auto、timing selectable、timing configuring by spd等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。 bank interleaving（可能的选项：off/auto/2/4） 这里的bank是指l-bank，目前的ddr ram的内存芯片都是由4个l-bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（auto也可以，它是根据spd中的l-bank信息来自动设置的）。 burst length“突发长度”（可能的选项：4/8） 一般而言，如果是amd athlon xp或pentium4单通道平台，建议设为8，如果是pentium4或amd 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定。 cas latency “列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项：1.5/2/2.5/3） bios中可能的其他描述为：tcl、cas latency time、cas timing delay。不用多说，能调多短就调多短。 command rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2） 这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为dram command rate、cmd rate等。由于目前的ddr内存的寻址，先要进行p-bank的选择（通过dimm上cs片选信号进行），然后才是l-bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在p-bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的l-bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长 。目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的sciencemark 2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。 ras precharge time “行预充电时间”（可能的选项：2/3/4） bios中的可能其他描述：trp、ras precharge、precharge to active。通过上文的讲述，大家现在应该明白它也是越小越 ras-to-cas delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5） bios中的可能其他描述： trcd、ras to cas delay、active to cmd等。数值越小越好。 active to precharge delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项：1……5/6/7……15） bios中的可能其他描述：tras、row active time、precharge wait state、row active delay、row precharge delay等。根据上文的分析，这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。 |
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